هوپا، انجمن علم ایران

سلام بچه ها این تاپیک برای این ایجادشده که بچه هایی که قبلاتوی چت روم باشگاه باهم گفت وگومیکردنداینجابتونندبه ادامه ی گفت وگوهاشون بپردازند،قراره فعلااطلاع رسانی بشه .....

بچه هاازطرف مدیراین انجمن برای من پیغام خصوصی اومدمه که اگرهربحثی غیرازبحثای علمی داخل تاپیک مطرح شد،حذف میشه وحتی ممکنه تاپیک هم حذف بشه پس فقط بحثای علمی درتاپیک هاصورت بگیره وهرگونه سخن اعم از احوال پرسی،تشکرو.....درپیغام های خصوصی انجام بشه.....
باتشکر

سلام بله همینطوره.انجمن فیزیکدانان جوان مثله فروم قدیم باشگاه نانو نیست و در صورت ایجاد اسپم در بخش علمی به شدت برخورد میکنن و حتی احتمال بلاک شدن IP هم وجود داره.ضمن تشکر از محدثه خانم ازتون خواهش میکنم بحث های آزاد رو که توی باشگاه انجام میدادین به بخش گفتگو های آزاد منتقل کنید.ممنون.

سلام میخواستم بدونم این پوشش رسانا که روی نمونه نارسانا تشکیل میدیم چرا باعث ایجاد مشکل در تصویر بدست آمده از میکروسکوپ نمیشه ؟ چسب کربن دقیقا کجا استفاده میشه؟

saranini نوشته شده:سلام میخواستم بدونم این پوشش رسانا که روی نمونه نارسانا تشکیل میدیم چرا باعث ایجاد مشکل در تصویر بدست آمده از میکروسکوپ نمیشه ؟ چسب کربن دقیقا کجا استفاده میشه؟

من دقیق نمی دونم ولی حدس میزنم این پوشش رساناجوری تشکیل میشه که مانع دیدمیکروسکوپ وعبورالکترون هانشه مثل اینکه ماروی یک شیء راباشیشه بپوشونیم وشیشه هیچ تاثیری رو دید مانداره وحدس دیگه ی من اینکه پوشش رساناباضخامت کمی تشکیل میشه ومانع دیدمانمیشه البته ازجوابام مطمئن نیستم دوستان نظرشون رابگند!!!

مقالاتی که میگم راازسایت های خارجی گرفتم وانگلیسی بودند،سایت باشگاه نانوفقط درحدمفاهیم پایه توضیح داده وبرای خوندن مقالات تخصصیبیشترمنابع مقالات انگلیسی هستند،سلول های خورشیدی هم می تونم برات توضیح بدم اماآقای فرهادپورطرح خوارزمیش برای امسال سلول خورشیدی بوده ومطمئنابیشترمی تونه کمک کنه،ببین درحد توضیحات مقدماتی:سلول های خورشیدی همونطورکه از اسمشون پیداست نوررابه برق تبدیل می کننداماچگونه این کارراانجام میدهند:جریان گاف ممنوعه راکه می دونید؟همون گاف انرژی که بین لایه والانس ولایه ی هدایت اتم هاست والبته مقدارش برای هرترکیبی متفاوته.مقدارگاف ممنوعه باخواص رسانایی،نیمه رسانایی ودرواقع میزان عایق بودن اون هادرارتباطه
مادونوع نیمه رساناداریم نیمه رسانای نوع pونیمه رسانای نوعn
نیمه رسانای نوعp:وقتی یک عنصرسه ظزفیتی مثل آلومنیم،بور ویااینیدیوم که درمدارظرفیت خود سه الکترون دارند،به کریستال سیلسیم یاژرمانیم خالص اضافه کنیم،الکترون های مدارآخرعنصرناخالصی مانندبور بااکترون های مجاورخودتشکیل پیونداشتراکی میدهد پس درمدارآخرناخالصی هفت الکترون درحال گردش هستند، درنتیجه یک حفره ایجادمیشه وبااضافه کردن هریک ازاتم های ناخالصی یک حفره ایجادمیشود،واین حفره هاچون نقش یک بارمثبت رادارندبه این نوع کریستال کریستال نوعpositive میگند
نیمه رسانای نوعn:هروقت یک عنصر5ظرفیتی مثل آرسنیک یافسفرو...رابه کریستال سیلسیم اضافه کنیم اتمناخالصی بااتمهای سیلیکون پیونداشتراکی تشکیل میده وچون ظرفین سیلیکون 8تابیشترنیست یک الکترون به راحتی ازقیدهسته آزادمیشه وبه صورت الکترون آزاد درمیاد وبه این نوع رسانای نوعnegativeگفته میشه
هرسلول خورشیدی حدااقل یک اتصال n-pنیازداردتابتونه یک میدان الکتیریکی ایجادکنه،دریک سلول خورشیدی بافقط یک اتصال n-Pب تنهافوتون هایی که انرژی مساوییابیشتری ازفاصله ی انرژی بین لایه والانس ولایه رسانایی(گاف ممنوعه)دارندقادربه رهاکردن الکترون آزادبرای جریان درمدارهستند.
سلول های خورشیدی کارایی پایینی دارندوبه دوعامل بستگی دارد:عامل اول اینه که سیلیکون محدوه ی بسیارکوچیکی ازامواج طیف تورراجذب میکنه وبقیه به گرماتبدیل میکنه وعامل دوم اینه که بخشی از انرژی جذب شده به علت رسانایی ضعیف ووجودمقاومت درداخل سلول خورشیدی ازدست میره
حالابه نانوچه ربطی داره؟ نانوتکنولوژی می تونه برهردومانع غلبه کنه اگرترکیبی ازاین نیمه رسانایک به روی هم به صورت فیلم های نازک استفاده میشه(چندنانومتر)،هرلایه می تونه طول موج ها مختلفی راجذب کنه بنابراین انرژی های دریافت شده بسیاربیشترازقبله همچنین نقاط کوانتومی نانوذرات نیمه رسانا یکی ازخصوصیاتشون داشتم فاصله ی انرژی(گاف انرژی)متناسب بااندازه است.....
توضیحات بیشتردرپست های بعدی میذارم هرسوالی داشتیدمی تونیدبپرسید

mohadaseh نوشته شده:

saranini نوشته شده:سلام میخواستم بدونم این پوشش رسانا که روی نمونه نارسانا تشکیل میدیم چرا باعث ایجاد مشکل در تصویر بدست آمده از میکروسکوپ نمیشه ؟ چسب کربن دقیقا کجا استفاده میشه؟

من دقیق نمی دونم ولی حدس میزنم این پوشش رساناجوری تشکیل میشه که مانع دیدمیکروسکوپ وعبورالکترون هانشه مثل اینکه ماروی یک شیء راباشیشه بپوشونیم وشیشه هیچ تاثیری رو دید مانداره وحدس دیگه ی من اینکه پوشش رساناباضخامت کمی تشکیل میشه ومانع دیدمانمیشه البته ازجوابام مطمئن نیستم دوستان نظرشون رابگند!!!

saranini نوشته شده:سلام میخواستم بدونم این پوشش رسانا که روی نمونه نارسانا تشکیل میدیم چرا باعث ایجاد مشکل در تصویر بدست آمده از میکروسکوپ نمیشه ؟ چسب کربن دقیقا کجا استفاده میشه؟

1.سلام،بستگی به میکروسکوپ مورد نظر داره که با توجه به پست خانم شاملی این میکروسکوپ STM هست. اول باید ببینیم ما از STM چی میخوایم؟ ما چیزی که از STM میخوایم دادن توپوگرافی سطحی و مورفولوژی سه بعدیه و اگر سطح نمونه رو لایه نشانی ساده بکنیم توپوگرافی تغییر میکنه و ما به مقصود خودمون نمیرسیم پس لایه نشانی نمونه در STM بسیار هم مشکل زاست. مگر اینکه از ابر دستگاه اپیتکسی ملکولی استفاده کنیم که بسیار پر هزینس و بدرد همه ی مواد نارسانا نمیخوره.و بنابراین بهتره از میکروسکوپ های دیگه استفاده کرد.در کل STM بدرد مواد نارسانا نمیخوره و با لایه نشانیه مواد رسانا روی نمونه هم مشکل برطرف نمیشه.
2. چسب کربن در متصل و محکم کردن نمونه به سمپل هولدر یا پایه ی زیر نمونه کاربرد داره. شاید این سوال براتون پیش بیاد چرا از چسب های معمولی استفاده نمیکنیم و جواب این سوال اینه که مااز چسب کربن یا چسب های رسانای دیگه استفاده میکنیم برای اینکه بتونیم در تمام نقاط نمونه جریان تونل زنی رو هم برقرارکنیم.چسب های رسانای دیگه ای هم مثله چسب نقره یا الومینیم داریم که البته چسب آلومینیم اینجا کاربرد نداره.

Ammar.Mehrabi نوشته شده:

mohadaseh نوشته شده:

saranini نوشته شده:سلام میخواستم بدونم این پوشش رسانا که روی نمونه نارسانا تشکیل میدیم چرا باعث ایجاد مشکل در تصویر بدست آمده از میکروسکوپ نمیشه ؟ چسب کربن دقیقا کجا استفاده میشه؟

من دقیق نمی دونم ولی حدس میزنم این پوشش رساناجوری تشکیل میشه که مانع دیدمیکروسکوپ وعبورالکترون هانشه مثل اینکه ماروی یک شیء راباشیشه بپوشونیم وشیشه هیچ تاثیری رو دید مانداره وحدس دیگه ی من اینکه پوشش رساناباضخامت کمی تشکیل میشه ومانع دیدمانمیشه البته ازجوابام مطمئن نیستم دوستان نظرشون رابگند!!!

saranini نوشته شده:سلام میخواستم بدونم این پوشش رسانا که روی نمونه نارسانا تشکیل میدیم چرا باعث ایجاد مشکل در تصویر بدست آمده از میکروسکوپ نمیشه ؟ چسب کربن دقیقا کجا استفاده میشه؟

1.سلام،بستگی به میکروسکوپ مورد نظر داره که با توجه به پست خانم شاملی این میکروسکوپ STM هست. اول باید ببینیم ما از STM چی میخوایم؟ ما چیزی که از STM میخوایم دادن توپوگرافی سطحی و مورفولوژی سه بعدیه و اگر سطح نمونه رو لایه نشانی ساده بکنیم توپوگرافی تغییر میکنه و ما به مقصود خودمون نمیرسیم پس لایه نشانی نمونه در STM بسیار هم مشکل زاست. مگر اینکه از ابر دستگاه اپیتکسی ملکولی استفاده کنیم که بسیار پر هزینس و بدرد همه ی مواد نارسانا نمیخوره.و بنابراین بهتره از میکروسکوپ های دیگه استفاده کرد.در کل STM بدرد مواد نارسانا نمیخوره و با لایه نشانیه مواد رسانا روی نمونه هم مشکل برطرف نمیشه.
2. چسب کربن در متصل و محکم کردن نمونه به سمپل هولدر یا پایه ی زیر نمونه کاربرد داره. شاید این سوال براتون پیش بیاد چرا از چسب های معمولی استفاده نمیکنیم و جواب این سوال اینه که مااز چسب کربن یا چسب های رسانای دیگه استفاده میکنیم برای اینکه بتونیم در تمام نقاط نمونه جریان تونل زنی رو هم برقرارکنیم.چسب های رسانای دیگه ای هم مثله چسب نقره یا الومینیم داریم که البته چسب آلومینیم اینجا کاربرد نداره.

پس درواقع چسب کربن مثل همون شیشه عمل میکنه یعنی مانع دیدنمیشه وچون حالت چسب مانندداره باعث تغیرتوپوگرافی نمیشه؟

میخواستم درباره تفسیر XRD بپرسم که این دو مولفه روی محور های عمودی و افقی چیه؟ میشه توضیح بدید که این پیک ها چی رو نشون میدن؟ در واقع صفحات بودند ؟!!

حضرات از روش سنتز الکتروفورتیک اطلاعی دارن؟!
کسی تا حالا این روش رو عملی اجرا کرده ؟

saranini نوشته شده:میخواستم درباره تفسیر XRD بپرسم که این دو مولفه روی محور های عمودی و افقی چیه؟ میشه توضیح بدید که این پیک ها چی رو نشون میدن؟ در واقع صفحات بودند ؟!!

باسلام..این همه جوره توضیح داده فکر کنم کمکتون کنه....
http://www.uplooder.net/cgi-bin/dl.cgi? ... 8fd7cca816

saranini نوشته شده:میخواستم درباره تفسیر XRD بپرسم که این دو مولفه روی محور های عمودی و افقی چیه؟ میشه توضیح بدید که این پیک ها چی رو نشون میدن؟ در واقع صفحات بودند ؟!!

سلام،به خاطر تاخیر معذرت اساسی میخوام!
راستش من فایل جناب فرهادپور رو که ندیدم ولی چیزی که از دوره یادمه رو میگم.اگر هم اشتباه گفتم دوستان تصحیح کنن لطفا.چون من خیلی از این مبحث خوشم نمیومد و خیلی خوب گوش ندادم.
اون دو مولفه یکی شدت پرتوی X هست که بر اساس رابطه ی زیر کاملا مرتبطه با زاویه ی تابش یا همون θ پس مولفه ی دوم زاویه ی تابشه.(البته به d هم بستگی داره که چون نمونه یکسانه پس d یک عامل بی تغییر میشه.)



اگر منظورتون از پیک ها همون قله هاست که باید بگم این قله ها مربوط به زوایایی هستن که اگر در رابطه ی بالا قرارشون بدیم، n عدد صحیح یا خیلی نزدیک به عدد صحیح باشه.

پس اگر شرایط گفته شده برای n وجود داشته باشه بر اساس عکس بالا موج ها همدیگر رو تقویت میکنن و دامنه یا شدت موج بالا میره و در نمودار قله دیده میشه.
اگر توضیحم ناقص یا به کل بدردنخور بود به بزرگیه خودتون ببخشید.

Ammar.Mehrabi نوشته شده:

saranini نوشته شده:میخواستم درباره تفسیر XRD بپرسم که این دو مولفه روی محور های عمودی و افقی چیه؟ میشه توضیح بدید که این پیک ها چی رو نشون میدن؟ در واقع صفحات بودند ؟!!

سلام،به خاطر تاخیر معذرت اساسی میخوام!
راستش من فایل جناب فرهادپور رو که ندیدم ولی چیزی که از دوره یادمه رو میگم.اگر هم اشتباه گفتم دوستان تصحیح کنن لطفا.چون من خیلی از این مبحث خوشم نمیومد و خیلی خوب گوش ندادم.
اون دو مولفه یکی شدت پرتوی X هست که بر اساس رابطه ی زیر کاملا مرتبطه با زاویه ی تابش یا همون θ پس مولفه ی دوم زاویه ی تابشه.(البته به d هم بستگی داره که چون نمونه یکسانه پس d یک عامل بی تغییر میشه.)



اگر منظورتون از پیک ها همون قله هاست که باید بگم این قله ها مربوط به زوایایی هستن که اگر در رابطه ی بالا قرارشون بدیم، n عدد صحیح یا خیلی نزدیک به عدد صحیح باشه.

پس اگر شرایط گفته شده برای n وجود داشته باشه بر اساس عکس بالا موج ها همدیگر رو تقویت میکنن و دامنه یا شدت موج بالا میره و در نمودار قله دیده میشه.
اگر توضیحم ناقص یا به کل بدردنخور بود به بزرگیه خودتون ببخشید.

تااونجایی که منم تودوره یادمه توضیحاتتون درسته،درواقع براساس همون فرمولnλ=2dsinθ و قانون برهم نهی امواج اگر nضریب صحیحی از طول موج باشه امواج ما هم دیگره راتقویت می کنند وتداخل موج سازنده است،امااگرضریب nصحیح نباشدموج هاهمدیگرراتضعیف می کنن
درنقاطی که تداخل سازنده است پیک هایی تشکیل میشودکه به آن الگوی پراش پرتوایکس می گویند،درپراش پرتوایکس باکوچک تر شدن اندازه ی کریستالیت ها،پهنای پیک ها بیشتر میشه وبااستفاده از رابطه ی شرر می توان اندازه ی کریستالیت ها رامحسابه کرد فرمولش را نمی دونم چه جوری بنویسم باکامپیوتر نمیشه

sheBalBa نوشته شده:حضرات از روش سنتز الکتروفورتیک اطلاعی دارن؟!
کسی تا حالا این روش رو عملی اجرا کرده ؟

سلام،نه متاسفانه. میتونی از آقای دارستانی بپرسی. [email protected]

sheBalBa نوشته شده:حضرات از روش سنتز الکتروفورتیک اطلاعی دارن؟!
کسی تا حالا این روش رو عملی اجرا کرده ؟

(Electrophoretic deposition(EPD یکی از روش های ایجاد نانو فیلم ها بر روی یک زیرلایه هستند که در محیط های محلولی در اثر رسوب دهی اتفاق میفته،که به طور کلی ذرات بارداری که در سوسپانسیون در اثر میدان الکتریکی حرکت میکنند با کنترل شرایط بر روی یک الکترود که زیرلایه مورد نظرمونه میشینن و لایه نانو ساختار ایجاد میکنن که برای کنترل شرایط هم باید متغیر های مختلف مثل ویسکوزیته محلول و اندازه ذرات و هدایت الکتریکی محلول و... کنترل شه.

برای xrd هم اون همش لازم نیست یعنی اصلا به درد ما نمیخوره قسمتایی که مربوطه به همون رابطه شرر یا ویلیام یا قانون براگ یا تحلیل نمودارش ولی خیلی خوبه...در مورد تداخل سازنده و مخرب امواجم طبق قانون براگ 2dsinθ برابر اختلاف راه است و با داشتن اختلاف راه اختلاف فاز به دست میاد :
که اگه اختلاف فاز مضرب صحیحی از 2 پی باشه تداخل سازنده و اگه نباشه مخربه که درواقع همونی که گفتید میشه...