مدار rl و مدار rc

مدیران انجمن: parse, javad123javad

ارسال پست
hoseinp

نام: hosein pir

عضویت : پنج‌شنبه ۱۳۹۵/۲/۲ - ۱۵:۰۰


پست: 2



مدار rl و مدار rc

پست توسط hoseinp »

سلام
تحت چه شرایطی یک مدار rl سری یک انتگرال گیر مناسب و مدار rc سری یک مشتق گیر مناسب است ؟
اگه امکان هست دلیل رو اثبات کنید .
خیلی ممنون .

نمایه کاربر
ghm

محل اقامت: شیراز

عضویت : چهارشنبه ۱۳۹۲/۵/۹ - ۲۱:۰۸


پست: 211

سپاس: 144

جنسیت:

تماس:

Re: مدار rl و مدار rc

پست توسط ghm »

سلام جریانی که از یک سلف ایده آل می گذره متناسب با انتگرالی از ولتاژ دو سرشه.
اما برای اینکه بتونیم این جریان رو به خروجی ببریم مجبوریم از یک مقاومت هم عبور بدیم تا به ولتاژ تبدیل بشه. بنابر این باید مقدار مقاومت رو برای هرچه ایده آل تر شدن سلف کوچک انتخاب کنیم و به سمت صفر ببریم و مقدار سلف هم باید بطور قابل توجهی بزرگ انتخاب بشه. ضریب انتگرال هم وابسته به مقدار سلف هست.

جریان عبوری از یک خازن ایده آل، متناسب با مشتق ولناژ دو سرشه.
اما برای اندازه گیری جریان مجبوریم از یک مقاومت استفاده کنیم.
هرچه مقاومت به سمت کوچک میل کنه و خازن به اندازه قابل ملاحظه ای باشه مشتق گیر ایده آلتر خواهد بود.

توصیه میشه برای ساخت یک مشتق گیر و انتگرال گیر خوب، از تقویت کننده های عملیاتی استفاده شود.
˙ ·٠•♥ السلام علی بقیه الله فی ارضه ♥•٠·˙

نمایه کاربر
rohamavation

نام: roham hesami radرهام حسامی راد

محل اقامت: 100 مایلی شمال لندن جاده آیلستون، لستر، لسترشر. LE2

عضویت : سه‌شنبه ۱۳۹۹/۸/۲۰ - ۰۸:۳۴


پست: 3222

سپاس: 5492

جنسیت:

تماس:

Re: مدار rl و مدار rc

پست توسط rohamavation »

مدل سازی ریاضی از پدیده های مختلف جسمی و طبیعی ما را قادر می سازد تا نتایج مفیدی را در مورد رفتار فرآیند های انجام شده استنباط کنیم و به پیش بینی های بهتر آینده کمک کنیم. تقریباً هر رشته تحصیلی با مدلهایی که برای اهداف مختلف استفاده می شوند احاطه شده است. رشته تجزیه و تحلیل مدار در مهندسی برق از این قاعده مستثنی نیست. مدارهای سری RL و RC بر اساس معادلات دیفرانسیل مرتبه اول ، مدل های مفیدی به ترتیب برای تجزیه و تحلیل ذخیره انرژی در قالب میدان های مغناطیسی و الکتریکی هستند. مدار RL با اتصال مقاومت به سلف طراحی شده و جریان از طریق منبع باتری به سلف تأمین می شود و در نتیجه با استفاده از قانون Kirchoff برای انرژی (میدان مغناطیسی) قابل بیان از نظر شار و جریان به مدل زیر منجر می شود:جایی که و به ترتیب برای القا (henry) ، مقاومت (اهم) و منبع تأمین شده (ولت) است. به طور مشابه ، مدار RC با اتصال یک مقاومت به خازن طراحی شده و خازن از طریق منبع باتری شارژ می شود و در نتیجه با استفاده از قانون Kirchhoff برای انرژی (میدان الکتریکی) قابل بیان از نظر جریان و ولتاژ به مدل زیر منجر می شود:
مقاومت و مقاومت (اهم) ، ظرفیت (فاراد) و منبع تأمین شده (ولت) به ترتیب. بسته به نوع کاربرد ، مدارهای RL و RC پایه اصلی مدارهای الکترونیکی مختلفی هستند مانند اینکه مدارهای RL برای برنامه های با قدرت بالا استفاده می شوند در حالیکه RC مقرون به صرفه است و برای برنامه های کم مصرف استفاده می شوند. .
مدل های RC ، RL و RLC هسته اصلی مدل سازی هر سیستم الکتریکی ،
که چگونه مدارهای الکتریکی متشکل در اجزا می توانند ویژگی های حافظه را ارائه دهند و ایده یک ممریستور را توصیف کرد. این نام خلاصه مقاومت حافظه است و رابطه بین شار مغناطیسی و بار را نشان می دهد. هنگامی که جریان جریان از طریق مموریسترها تغییر می کند ، آنها بسته به مقدار و جهت جریان ، مقاومت خود را حفظ می کنند بنابراین توانایی حافظه را نشان می دهد. این کشف کاملاً انقلابی است زیرا می تواند کاربردهای گسترده ای به ویژه در صنعت تولید حافظه های غیر فرار داشته باشد. عنصر خازن مم را با رفتارهای مقاومتی و خازنی واسطه ارائه داد. عنصر mem-خازن رابطه بین انتگرال زمان شارژ و شار را توصیف کرد. به طور مشابه ، یک عنصر mem-inductor رابطه بار را با انتگرال زمان شار توصیف کرد. همه این سه عنصر یعنی memristor ، mem-capacitor و mem-inductor ذاتاً مارکوویایی هستند که به وابستگی حالت قبل وابسته هستند ، که به عنوان یک حافظه عمل می کند. این ماده مواردی را نشان می دهد که این خصوصیات حافظه را نشان می دهد. تحقیقات در آزمایشگاه ها و تمرکز گسترده بر روی مدل سازی این عناصر انجام می شود که البته با مدل های معمولی ریاضی مطابقت ندارد.$v=v(0)+{1/C}\ \int_0^t\!i\ dt $,$ v=V_s+V_s\ e^{-t/RC}$
یافتن جریان $ i=C\ dv/dt$و $ i={(V_{s}e^{-t/RC})/R}$v بودن ولتاژ گذرا ، C بودن خازن ، t بودن زمان ، من بودن جریان گذرا ، در مقابل ولتاژ منبع بودن ، مقاومت در برابر مدار بودن مدار.
سوال من این است که آیا هر دو معادله در هر حالت بسته به متغیرهای داده شده به جای هم قابل استفاده هستند؟ یا اینکه باید از آنها در شرایط خاص مختلفی استفاده شود؟ یا فقط یکی از آنهاست که برای اهداف عملی مورد استفاده قرار می گیرد در حالی که دیگری فقط نوعی استنباط نظری از عناصر اولیه است$\frac{dV_\text{out}}{dt} = \frac{dV_\text{in}}{dt} - \frac{di}{dt}(R_1+R_2) - i\left(\frac{1}{C_1} + \frac{1}{C_2}\right) $همانطور که در نظرات اشاره شد ، ولتاژهای ورودی آمپر op صفر است و هیچ جریانی به آنها وارد نمی شود. بنابراین شما باید i (t) فعلی خود را به گره ورودی برسانید و از گره خروجی خارج شوید. این ولتاژ صفر بین بلوک های RC به شما امکان می دهد آنالیز را به دو مدار جدا کنید.$v_{in}(t) = R_1 i(t) + \frac{1}{C_1}\int i(\tau)d\tau $و$ v_{out}(t) = -R_2 i(t) - \frac{1}{C_2}\int i(\tau)d\tau$و$ -\int i(\tau)d\tau = C_2\left(v_{out}(t)+R_2i(t)\right).$و $ i(t)=\frac{v_{in}(t)+\frac{C_2}{C_1}(v_{out}(t)+R_2i(t))}{R_1}$و $ i(t)\left(1-\frac{C_2R_2}{C_1R_1}\right)=\frac{v_{in}(t)+\frac{C_2}{C_1}(v_{out}(t))}{R_1}$
تصویر

ارسال پست